Egyéb speciális diódák
Varicaps vagy varaktorok
A változó kapacitású dióda varikap vagy varaktor néven ismert. Ha a dióda ellentétes irányú elmozdulást mutat, akkor a két félvezető réteg között szigetelő kimerülési tartomány jön létre. Számos diódában a kimerülési tartomány vastagsága megváltoztatható a fordított bias megváltoztatásával. Ez megváltoztatja a kapacitást. Ez a hatás a varicaps-ban javul. Feltételes grafikus szimbólumok az alábbi ábrán láthatók, amelyek közül az egyik kettős diódával azonos katóddal van ellátva.
Varicap: A fordított polarizációval együtt a kapacitás változik. Ez megváltoztatja a rezonáns áramkör frekvenciáját.
Ha a varikap a rezonáns áramkör részét képezi, amint azt a fenti ábra mutatja, akkor a rezonanciafrekvencia Vp. Nagy kapacitású kondenzátor alacsony XC-vel. amely sorosan kapcsolódik a varikaphoz, megakadályozza a V rövidzárlatot az L induktivitáson keresztül a házon. Mivel ez a kondenzátor nagy kapacitással bír, minimális hatást gyakorol a rezonáns áramkör frekvenciájára. Használható a központi rezonancia frekvencia mellett. A vezérlés ezután megváltoztathatja a frekvenciát ebben a pontban. Megjegyezzük, hogy az ábra nem mutatja meg a rezonáns frekvencián a jel előállításához szükséges aktív áramkört. Az AM rádió tuning áramkörének egy varikap segítségével történő bemutatását a 9. fejezet tartalmazza ("elektronikus beállítás a varicapon").
Néhány varicaps, amelyek megváltoztatják a fordított polarizációt, nagyon drámai módon változtatják meg a csatlakozási kapacitást. Ezek a diódák viszonylag nagy kapacitásváltozást biztosítanak. Ez akkor hasznos, ha a generátorokat vagy szűrőket széles frekvenciatartományban hangolják. torzítás változás a névleges tartománya ilyen "durva" varikap dióda kapacitásváltozásának arányban 4: 1, a "giperrezkih„varicaps - 10: 1, a" szuper giperrezkih 'varicaps - 20: 1.
A varaktorok frekvencia-szorzó áramkörökben használhatók.
Diódák felhalmozódásával
Recovery diódák (DOP), más néven SRD (lépésben helyreállítási dióda) diódák, használatra szánt nagyfrekvenciás szorzók szorzás együtthatók frekvencia legfeljebb 20 GHz. Amikor a diódát előrefelé toljuk, a töltés a PN átmenetben tárolódik. Ez a töltés akkor áramlik, ha a dióda ellentétes irányban elfogult. Az SRD előrejelzésével a dióda alacsony áramlási ellenállású áramforrásnak tűnik. Ha fordított előfeszítést alkalmaz, még mindig úgy néz ki, mint egy alacsony impedancia forrás, amíg az egész töltést eltávolítják. Ezután SRD dióda „reteszelt” a nagy impedanciájú állapotban, ami a feszültség impulzus, gazdag harmonikus. Alkalmazás SRD diódák - egy generátor „fésű”, számos harmonikus szorzók és módosított 2x és 4x.
A PIN dióda kis kapacitású nagysebességű kapcsolódióda. Ne keverje össze a PIN átkapcsoló diódát a PIN fotodiódával. A PIN-dióda úgy van kialakítva, mint egy átkapcsoló szilíciumdióda, amelynek saját félvezető tartománya van hozzá a PN csomópont rétegei között. Ez egy vastagabb kimerülési régiót, egy szigetelő réteget ad a dióda-átmenetben, amelyre fordított bias alkalmazásra kerül. Ez alacsonyabb kapacitást eredményez, ami fordított előfeszítő diódával jár.
A PIN-diódákat kommunikációs diódáként használják RF alkalmazásokban. Úgy tűnik, hogy egy általános célú dióda 1n4007, 1000V, 1A használható kapcsolható PIN diódáként. Ennek a diódának a nagy névleges feszültsége a belső rétegnek a PN csomópontot elválasztó belső félvezetőből való beépítése miatt valósul meg. Ez a saját réteg teszi az 1n4007 PIN diódát. A PIN dióda egy másik alkalmazása egy antennakapcsoló.
A közvetlen torzítással járó PIN-diódák változó ellenállóként szolgálnak. Egy ilyen alkalmazás egy AC csillapító. A PIN-diódák alacsony kapacitása kiterjeszti a csillapító frekvenciatartományát a mikrohullámú tartományra.
Valamennyi átmenő dióda (IMPATT dióda)
Avalanche tranzit dióda (IMPATT, Impact Avalanche Transit Time) - egy erőteljes rádiófrekvenciás generátor frekvencián működő 3 és 100 GHz. Az IMPATT diódák szilíciumból, gallium-arzénből vagy szilícium-karbidból készülnek.
A leállási feszültség feletti inverz eltolódás a lavina-tranzit (IMPATT) diódára vonatkozik. A dopping magas szintje vékony, szegényes régiót eredményez. Az így létrejövő nagy elektromos mező gyorsan felgyorsítja a töltőhordozókat, amelyek felszabadítják a töltőhordozókat a kristályrács ütközésével. A lyukak bejutnak a P + régióba. Az elektronok az N területek felé sodródnak. A kaszkád hatása egy lavina áramot hoz létre, amely akkor is növekszik, ha az átmenetben lévő feszültség csökken. Az aktuális impulzusok elmaradnak a csatlakozási ponton levő feszültségcsúcsok mögött. A rezonáns áramkörrel kombinált "negatív ellenállás" hatás nagy rezgések esetén rezgéseket generál (nagy a félvezetők számára).
A rezgőkör a kapcsolási rajz látható a fenti ábrán egy ekvivalens áramkör a hullámvezető szakasz, amely telepítve lavina-span (IMPATT) dióda. A fordított előfeszítő egyenfeszültség szállított keresztül fojtó, amely megakadályozza elvesztése RF jelet a előfeszítő forrás. Ez lehet egy hullámvezető szakasz, amelyet bias tee néven ismerünk. Alacsony fogyasztású radaros használhatja lavina-span (IMPATT) dióda egy jelforrást. A vevőkészülékekben való használatra ezek a diódák túl zajosak.
Hann dióda
A Gunn dióda kizárólag N típusú félvezetőből áll. Így nem egy igazi dióda. Az alábbi ábra egy enyhén adalékolt N - réteget mutat. erősen adalékolt N + rétegekkel körülvéve. Az N típusú gallium-arzénből származó Gunn-diódákra kifejtett feszültség erős elektromos mezőt hoz létre az enyhén adalékolt N-rétegben.
Ahogy a feszültség nő, a vezetőképesség az elektronok miatt növekszik az alacsony energiájú vezetési sávban. Ha a feszültség meghaladja a küszöbértéket, megközelítőleg 1 V, akkor az elektronok az alsó vezetési sávból a magasabb energiájú vezetési sávba lépnek, ahol már nem járulnak hozzá a vezetéshez. Más szavakkal, ahogy a feszültség nő, az áram csökken, a negatív ellenállás jelensége. Az oszcillációs frekvenciát a vezetõ elektronok átmeneti idõtartama határozza meg, amely fordítottan kapcsolódik az N réteg vastagságához.
A frekvencia bizonyos mértékig szabályozható úgy, hogy a Gunn diódát a rezonáns áramkörbe helyezi. A fenti ábrán látható ekvivalens áramkör valójában egy koaxiális átviteli vonal vagy hullámvezető. A gallium-arzénből származó Gunn dióda képes működni 10 és 200 GHz között, 5 és 65 mW közötti teljesítmény mellett. Hann diódái is erősítőként szolgálhatnak.
Dióda Shockley
A Shockley dióda egy négyrétegű tirisztor, amely nagy tirisztorokat indít el. Ez vezeti a jelenlegi csak egy irányba, ha nyitva van a feszültség nem emelkedik a bekapcsolási feszültség kb 20 V. További információkért lásd a 7. fejezet, „tirisztor”, „Shockley Diode” című részt. A kétirányú változatot Dinistor, diac jelöli.
Közvetlen áramdiódák (SRD diódák)
Közvetlen áramdióda. más néven áramkorlátozó dióda. vagy egy aktuális szabályzó diódát. vagy SRD dióda. pontosan mit jelent a neve: korlátozza az aktuális áramlatot egy bizonyos maximális szintre. A DC-dióda a mező (JFET) tranzisztor két ágú változata. Ha megpróbáljuk növelni a diódán átáramló áramot, a vezérlőpont felett, akkor egyszerűen "korlátozni", növelve a feszültségesést. Ha az alábbi ábrán (a) ábrázoltuk az áramkört, és ábrázoltuk a dióda áramot a feszültséggel szemben, akkor egy olyan grafikont kapunk, amely először emelkedik ki, majd az aktuális vezérlőponton áll, ahogy az alábbi ábra mutatja (b).
Az egyenáramú diódák (SRD diódák) használatával automatikusan korlátozni kell az áramot egy LED vagy lézerdiódán keresztül egy széles feszültség tartományon belül, amint az az alábbi ábrán látható.
Természetesen az áramkorlátozó dióda (SRD) szabályozásának pontját úgy kell megválasztani, hogy illeszkedjen a LED vagy lézerdióda optimális egyenáramához. Ez különösen fontos a LED-knél, de a lézerdiódáknál, mivel a hagyományos LED-ek jobban tolerálják a közvetlen áram változását.
Mentés vagy megosztás