Kritikus díjat - egy nagy enciklopédiája olaj és gáz, papír, oldal 3
kritikus díj
Egyenértékű szoftver struktúrája diagramja ROUE (lásd. Ábra. 11,41) lehetővé teszi, hogy építeni a tranziens válasz áramok, mint a szuperpozíció a kisegítő és a fő struktúrák Ief és az 1a, ábrán látható. 11.45. Amikor megfelelően nagy áramok / G görbe a jelenlegi a járulékos szerkezet jellemzi késleltetés egyenlő saját no-pi késleltetés - N2 - p2 TEF szerkezet. Delay alapminta áll kritikus töltésfelhalmozódást időben az adatbázisban p-t b és a saját késleltetés fülre. Tekintettel arra, hogy a különbség az áramok / GO elsődleges és másodlagos szerkezeteket, hacsak különleges intézkedések általában kisebb, akkor tf nagyon kicsi, és az alak a jelenlegi emelkedés szerkezet ROUE gyakorlatilag megegyezik a jelenlegi formájában szerkezetű, mint a SED. [31]
Csökkentve az anód feszültség értékek lényegesen kisebbek, mint az U (BO) CT, kíséri enyhe növekedést és csökkenti a kritikus díjat. Annak ellenére, hogy a csökkenés a különbség a QBHOC és QKP kritikus töltésfelhalmozódást könnyen megvalósítható azáltal, hogy csökkenti a feszültséget felfutási idő, és csökkenti a részvény hozzájárult a töltés rekombiniruyusche th ez idő alatt. [32]
Élesen csökkent immunitás tirisztorok a hőmérséklet emelkedésével. Különösen, a hőmérséklet növekedésével 20 és 100 ° C kritikus töltés tirisztorok (szinte bármilyen típusú) csökken több, mint 10-szer. [33]
OTlh) 3 (2. ábra -. 7, b) a különböző minták kritikus töltés LSC fogadták azonos, egyenlő 1 IWC. OTjh)] J98, 100] azt mutatják, hogy az időtartam a jelenlegi bomlási t T (t), egyenlő a tíz tonna off idő csökken képest az álló 1 4 -. Január 8-szor, és a T 100tlh - 3 - 7-szer . [34]
Az aszimmetria az elektromos mező szigetelő struktúrák olyan távolságra, a nagyfeszültségű elektródák megfelelő a hossza a szalagokkal zóna vezet különbség szalagok zóna közelében az elektród felületén különböző pontok: Legmagasabb hossza megfelel a felszínre a nagyfeszültségű elektróda néző a földre, vagy a második elektróda, ellentétes töltésű. Alkalmazása elektródák, a teljes felületen, amely megfelel annak a feltételnek az egyenlő hossza a szalagok zóna, jelentősen növeli a kritikus töltés. 50% -ának megfelelő - Nome kisülési feszültség, egy viszonylag kis növekedése ekvivalens kapacitás. Ez ahhoz vezet, hogy jelentős növekedés kisülési feszültség. [35]
Amikor a változó a feszültség polaritása a jelenlegi reteszelő / tud átfolyni / - régióban. Ha a töltés lyukak felhalmozódott p2 - bázis alatt az áram nagyobb, mint a kritikus díjat. Szükséges felszabadításában p - PGR2 - pg szerkezete, az utóbbi adja meg a nyitott állapotban, és áram folyik át a készüléket, által meghatározott fordított feszültség és terhelési impedancia. Például, szinuszos feszültség a fő elektródák egy előre meghatározott értéke a jelenlegi keresztül az eszköz van egy kritikus frekvencia / cr struktúrája határozza meg paramétereket, amelyen túl már felszabadítása a műszer az ellenkező irányba, anélkül ellátó meghajtó impulzust. [37]
Feltételezzük, hogy h vonni a része, amely megfelel a renormalizációs a tömege egy elektron és a sugárzás korrekciók az energia - dT - elektron. Ez könnyen ellenőrizhető, hogy rögzíti a sugárzás korrekciók (Lamb és nyíró helyesbítés a Coulomb kölcsönhatás) csökkentjük egy kis változás a kritikus díjat. [38]
Ez akkor fordul elő abban az esetben, mérési tg nagy sebességgel növelik a feszültség impulzus ismételten alkalmazzák, és magyarázata a következő. Nagy sebességgel növelik az anód feszültség töltés halmozódott fel a bázisokat a tirisztor hatása alatt a kapacitív áram kollektor átmenet, közel a kritikus töltés és QKp különbség - Quau kicsi. A növekvő kritikus töltöttségi tirisztor viszont csökkenti a hőmérsékletet. Minél magasabb a hőmérséklet, annál kisebb a különbség QKp - QHaK és gyorsabb ez a különbség csökken a hőmérséklet növekedésével. [39]
Maradandó hibák RAM IC áll IC hibák, véletlenszerű - a változó tartalmának RAM miatt feszültség ingadozása, rövid távú zaj expozíció egy-részecskék. Hatása a-részecskék válnak nyilvánvaló, tekintettel arra a tényre, hogy a növekvő integrációs kapacitása dinamikus RAM memória sejt csökken, kíséretében csökkenése a kritikus töltés. képes megváltoztatni az állam a memória cella kondenzátor. [40]
Ahhoz, hogy bármely részét a tirisztor kapcsolni a zárt állapotból a nyitott, az szükséges, hogy az alapréteg a tirisztor ezen a területen felhalmozott kritikus töltés felvételére. Nyilvánvaló, hogy a nagyobb a töltéssűrűsége a kritikus tirisztor viszont, annál nagyobb a szükséges időt az egyébként azonos körülmények között, hogy a be nem épült része a tirisztor kritikus felelős felhalmozott. [41]
Ha egy csepp ülés szög a tükör 10-45 való összevonása a film játszódik, minden esetben, amikor a szokásos sebesség-összetevője a tükör meghalad egy kritikus értéket, amely függ a cseppecskék mérete. Van egy bizonyos kritikus értéket, a töltés, ami az egyesülés cseppek a vízréteg alacsonyabb ütközési sebesség. Nagysága a kritikus töltöttségi arányos a sugár a cseppek. Amikor díjak közel kritikus, a csepp és a film képződik paplanok, amely nem alakul ezek hiányában. híd kialakulása feltételek határozzák meg a potenciális különbség, a tulajdonságok a légrés a cseppek és a felületi feszültség. Azt találta, hogy a vízveszteség vezetéken keresztül első közelítésben arányos nagysága a díjakat. Hasonló eredményeket kaptunk, amikor a csepp összeütközik a helyhez csepp kinyomjuk a függőlegesen szerelt kapilláris. [42]
Ha q qKp, mint kiderült, a deformáció tovább növekszik - egy csepp instabil. A folyamat végeredménye emésztésével instabil cseppecske két vagy több) stabilabb kisebb cseppek. A csökkenő cseppméretet qk kritikus töltés arányosan csökken, hogy a négyzetgyöke, a hangerőt, míg a töltés q csepp arányosan csökken az átlagos térfogata; így kellően kis méretű stabilitási feltételek csepp kezdődik. [43]
A lényege az összes ilyen módon ki tirisztorok a következő. Amikor dolgozik a nyitott pozíció az alapul szolgáló réteg a tirisztor felhalmozódnak több felesleges felelős egyensúlyi hordozók. Ez a töltés lényegesen nagyobb, mint a kritikus töltés felvételét. és a tirisztor nem azonnal megy a megnyitáshoz. Mindezek a módszerek kikapcsolásával csak segít csökkenteni a felesleges felelős egyensúlyi fuvarozók a bázisok a tirisztor. Így a szükséges időt, hogy csökkentse a felhalmozódott töltés egyensúlyi fuvarozók nem haladó értékű kritikus töltöttségi váltás, meghatározza időtartamát átmeneti kikapcsolása tirisztor. [44]