Intel készített egy új generációs processzorok
Az Intel bemutatta az első prototípusok processzorok, amelyek új tranzisztorok nagyon kis méretű, és létrehozta alapján a 45 nanométeres gyártási technológiával, ezáltal felgyorsítja a fejlesztés a korszak többmagos számítástechnikai.
Intel jelentette az egyik legjelentősebb előrelépés alapvető tranzisztor tervezési elvek. Azt bejelentette, hogy az Intel szakértői már két teljesen új anyagból, hogy a szigetelő fal és logikai kapuk tranzisztorok alapján 45 nanométeres gyártási folyamat. Többmagos processzorok Intel # xAE családok; Core # x2122; 2 Duo, Intel # xAE; Core # x2122; 2 Quad és Intel # xAE; Xeon # xAE; A következő generációs tartalmaz százmillió ezen mikroszkopikus tranzisztorok vagy elektronikus kapcsolók. Az Intel azt mondta, hogy már van egy működőképes prototípus öt processzorok 15 a jövőbeni termékek, amelynek termelése a tervek az új, 45 nanométeres gyártási technológia.
Az új tranzisztor lehetővé teszi, hogy elérjék a magasabb szintű hatékonyság processzorok asztali számítógépek, laptopok és szerverek, miközben biztosítja a jelentős csökkenését szivárgási áram. Az új technológia nem csak csökkenti a méretét processzorok, hanem csökkenti az energiafogyasztást, a zaj és a PC-n. Ez az alapvető technológiai áttörés az Intel is nyújt arról, hogy a Moore-törvény, az iparág tétele a csúcstechnológia, amely kimondja, hogy a tranzisztorok száma egy chipen megduplázódik mintegy kétévente, nem fogja elveszíteni a jelentősége a következő évtizedben.
Az Intel a szakértők úgy vélik, hogy a teremtés első működőképes prototípus feldolgozók készült 45 nanométeres technológia lehetővé tette a többi játékos, hogy előre a félvezető iparban több mint egy éve. Ezek az új Intel processzorok egy család 45 nanométeres termelését a következő generációs kódnevű Penryn. Prototípus processzorok úgy vannak kialakítva, öt különböző számítógépes piaci szegmensek, hogy sikeresen tesztelték a Windows operációs rendszer * Vista *, Mac OS X, Windows XP és Linux *, valamint a különböző alkalmazásokhoz. Ahogy korábban tervezett, az Intel azt tervezi, hogy tömeggyártás alapuló termékek 45 nm-es technológia a második félévben.
Új tranzisztorok Intel: a nagy-k anyagok és fémek alapján a 45 nanométeres gyártási folyamat,
Az Intel az első az iparágban kezdte használni innovatív kombinációja az új anyagok, ami jelentősen csökkentheti a szivárgási áram tranzisztorok és fokozzák a teljesítményt a 45 nanométeres gyártási technológia. Ahhoz, hogy hozzon létre egy tranzisztor kapuszigetelő vonatkozik az új anyag úgynevezett magas-k, és egy új kombinációja a fém használt anyagok a tranzisztor kapu elektróda.
Méretének becslésére az új tranzisztorok lehet néhány összehasonlítást. Például, a felületi területen egyenlő humán vörösvérsejtek, lehet helyezni 400 Intel tranzisztorok koholt a 45 nm-es technológiával. Az új Intel tranzisztorok 5,5-szer kisebb méretűek, és csak 30-szor kevesebb helyet foglal, mint egy évtizeddel ezelőtt tranzisztorok, amelyek felhasználásával előállított korszerű idején 250 nanométeres gyártási technológiával.
Szerint a Moore-törvény a tranzisztorok száma egy chip kétévente megduplázódik. Ez a törvény nyit egy hatalmas lehetőség az Intel az újításra, javítja az integráció foka, új funkciókat, számának növelése processzormag, a termelékenység növelése, a termelési költségek csökkentése és a költség tranzisztor. De ahhoz, hogy fenntartsák ezt az innováció ütemét, akkor kell, hogy folyamatosan csökken a méret a tranzisztorok. Sajnos, a képességeit a hagyományos anyagok kimerültek, a fokozott hő- és kezdenek viselkedni az alapvető fizikai határokat, amikor az atomi méretekben. Ezért az új anyagok használatát kiterjeszti a Moore-törvény, és ad okot, hogy egy új szakasza az információs korban.
#xab; Recept # xbb; Intel-alapú új anyagok 45 nm-es technológiával
A növekedés a szivárgási áram a kapun keresztül a tranzisztor csökkenő vastagsága a dielektromos réteg szilícium-dioxid egyike a leginkább félelmetes technikai akadályok az utat a Moore-törvény. Ahhoz, hogy megoldja ezt az alapvető problémát az Intel Corporation váltotta szilícium-dioxid kapu dielektrikum egy vékony réteg a magas-k anyag hafnium alapú. Lehetőség van, hogy csökkentse szivárgási áram több, mint 10-szer, mint a használt szilícium-mikroelektronika több mint négy évtizede.
Anyaga magas k kapu dielektrikum nem kompatibilis a hagyományos szilícium kapu elektródjai, így a második komponens #xab; recept # xbb; Intel új tranzisztorok alapján létrehozott 45 nanométeres gyártási technológia, már a fejlesztés az elektródákat az új fémes anyagok. Nevek bizonyos fémek, amelyek az Intel, titokban tartják, de az ismert, hogy a gyártásához a tranzisztor kapu elektród, kombinációja különböző fémes anyagok.
A kombináció alapja a magas-k kapu dielektrikum anyag és a fém elektródák használt 45 nm-es Intel technológia növekedése meghajtó áram több mint 20%, és ennek megfelelően növeli a tranzisztor teljesítménye. Ugyanakkor, több mint 5 alkalommal csökkentett szivárgó áram a forrástól a csatorna, azaz. E. Csökkentett teljesítmény tranzisztor.
45 nm-es Intel technológia lehetővé teszi csaknem kétszerese a sűrűsége a tranzisztorok egy chip, mint az előző generációs technológia. Ennek eredményeként egy chip lehet helyezni több tranzisztor, vagy csökkentse a méretét a feldolgozók. Mivel az új tranzisztorok kisebbek, mint elődeik, azok ki- és kisebbnek kell lennie, az energia, így csökkentve az aktív kapcsolási teljesítménye 30% -kal. A belső kapcsolat 45 nm-es technológia Intel rézvezetékeket alkalmazzuk kombinációban a dielektromos alacsony-K, amely egy további teljesítmény-növekedést és csökkenti az energiafogyasztást. Azt is tervezik, hogy az új topológiai tervezési szabályok és a legjobb gyakorlatokat az maszkokat, amely használni fogja a jelenlegi 193 nanométeres technológiával száraz litográfia gyártását 45 nanométeres processzorok, t. Hogy. Ez a folyamat a leggazdaságosabb és széles körben használják a tömeggyártás.
Processzor család, Penryn kódnevű növeli az energiatakarékos teljesítmény
Processzor család, Penryn kódnevű mikro-architektúra az Intel # xAE; Core # x2122; és a következő lépés az Intel kötelezettségvállalások végrehajtásának végre új gyártási technológiák és a mikroarchitektúra minden második évben. A kombináció a fejlett 45nm-es technológia, a nagy volumenű termelés képességek és a forradalmi mikroarchitektúra hagyjuk Intel most létre az első működőképes minta 45nm processzorok kódnéven Penryn.