Kristálytani orientációja -, hogy a műszaki szótár iii
Fontos hangsúlyozni, hogy az epitaxiális növekedés réteget kristálytani orientációjától inkrementális ismétlődést kristálytani orientációja a szubsztrát. A kapott vékony epitaxiával aktív (működő) félvezető réteg viszonylag vastag passzív szubsztrát. A szerepe a szubsztrát csökken, hogy növelje a szerkezeti szilárdságát a félvezető elem.
Forma maratás számok arra a következtetésre vezet a kristálytani orientációjától.
Hasonló szignifikáns hatása a rendelkezésre álló bizonyos krisztallográfiai felületi orientáció - textúra talált tanulmányozása elektropolírozott folyamatban galvanikus kicsapás, sárgaréz ötvözetek, acélok, ötvözött Nimonic homogén és tiszta fémek. Azt találtuk, hogy az anódos oldódása fém mindenkor vezérli a fémszerkezet. A tökéletes textúra, annál jobb az a folyamat, polírozás, annál nagyobb a felület fényes és pozitív potenciál.
Ha a mértéke növekedési üteme v minden kristálytani irányokkal nem ugyanaz, akkor szerint a Barton, Cabrera és Franku185 képződött sokszögű spirálok.
A törés dolgozó gázturbinás motor lapátok. Ezért szükséges, hogy arra törekszik, hogy szerkezete a kristálytani orientációjától (001), amely biztosítja az optimális kombinációját mechanikai és hőálló tulajdonságokkal. Meg kell említeni egy másik fontos pont, nevezetesen, hogy ötvözetek orientációja (001) van egy alsó rugalmassági modulusa, mint a ötvözetek, amelynek szerkezete áll egyforma nagyságú szemcséből. Ezáltal irányítottan kristályosított öntvények csökkentett szintű termikus feszültség, ami növeli a tartósság a termikus ciklus során.
Ez nem kapcsolatot hoznak létre a reakció sebessége és a kristálytani orientációja a felület, annak ellenére, hogy a bőséges szakirodalom. Számos kísérlet, hogy erősítse meg ezt a linket, de más tanulmányok kimutatták, hogy az arány a katalízis nem függ a kristálytani orientáció.
A hőmérséklet-függősége megoszlási együtthatóját a szennyező generalizált tellúr epitaxiális rés, letétbe helyezett egy zárt (/ és nyitott (2, 3 rendszerekben, ha a tellúr koncentrációja az olvadékban, atomi aránya 1 - .. február 06-10 - július 03-10 - b - B. Z - 1 7X X10 - 4. | reakcióvázlat egyensúlyi fed batch (I disequilibrium (b elektrozhidkofaznoy kristályosítási módszerek bizonyos befolyása a tényleges értéke a eloszlási koefficiens egy kristálytani orientációja a hordozó síkjára kísérletileg találtuk, hogy a sík (III) a hatékony, hogy .. ffitsienty elosztó donorok Kd több kA és akceptorok kisebb, mint a síkban (III) A. A orientációját függését a hatékony elosztási együtthatókat a folyamat a folyadék fázis epitaxia, valamint a növekvő ömlesztett kristályok lehet magyarázni a különböző adszorpciójának természete szennyeződések különböző síkokban orientált módon félvezetők.
Az eredmény a maratás a felületet általában erősen függ a kristálytani orientációjától. Szorosan sík, mint általában, könnyebben maratott, mint a többi a sík a kristály. Eltérés az orientációban tud tűnni kedvezményes marató hatást bizonyos speciális etchants. Helyesen választotta a marató anyagot lehet beszerezni a gödör nagy indexek repülőgépek.
Kétdimenziós modell a nanoszerkezetű anyag. | Osztályozási rendszer PC-anyagok szerint a formában és kristallit határokat, valamint kémiai összetétele. A blokkok különböznek az atomi szerkezete, kristályos orientáció, és a kémiai összetétel. Ha az építőelemek kristályokat lehet közöttük kialakított koherens vagy inkoherens felületen.
Mivel a polarizált fény intenzitásának nagymértékben függ a kristálytani orientációja a kristály felületén, a polarizált fény alkalmazásával legalkalmasabb a tanulmány mikroszerkezetének polikristályos anyagok, vagy hogy meghatározza a preferált orientáció. Mivel a különbség optikai úthossz a fénysugár egy ilyen kölcsönös ék sáv erősítés és a kioltási összhangban egy egyenlet formájában NX 2 hy cos 6, ahol n - az interferencia rend; N - törésmutatója levegő; d - a vastagsága az ék.
Morfológia és különösen magok számának erősen függnek a kristálytani orientációja a fém alréteg, mivel az irányításuk kristályszerkezete azonos síkban változatlan marad. Úgy tűnik, az oxigén-ion található a központtól a szélén a egység kocka, amely megfelel a pozícióját a FeO rács. Ezután a legnagyobb sűrűsége pénzszámláin helyek a gépen (100), amely valóban megfigyelhető, és a maximális számú embriót.
Hangsúlyozni kell, hogy A függ kristálytani orientációja a gépet tekintik Us és Ws eltérőek a különböző arcokat. Mivel az amerikai változik halad az egyik oldaltól a másik nem olyan kemény, mint Ws, akkor K packed arcok egyébként azonos körülmények között, kevesebb, mint az arc az alacsony tömörítési sűrűsége az atomok.
Ebben a tanulmányban a fő vizsgálatok eredményeit a hatása kristálytani orientációja a zafír szubsztrát és a tájékozódás a felületi morfológia a epitaxiális kadmium-szulfid.
Kedvező feltételeket a beállítás a véletlen a gabona hasonló kristálytani orientációja.
II nézzük meg néhány módszer a tanulmány a felületek egy adott kristálytani orientáció az egyén egyetlen kristály.
Az egykristályok lehet előre meghatározott, vagy 1 tetszőleges kristálytani orientációjától. A kristályokat termelt L adalékolatlan vagy adalékolt indium és a gallium. Tempo y / K1 Noe adalékolatlan nagy ellenállás egykristályok a kadmium-szulfid kell lennie a tartományban az 1 és 15 ohm - cm fajlagos ellenállású elsktrosopro ..
Például, a Si között jött létre a kristálytani orientációja a szemcsehatárok és a rekombinációs tulajdonságai.
Egykristályokhoz különböző irányvonalak jelentős függőségét plaszticitás a kristálytani orientáció, jelezve, hogy a diszlokáció mechanizmusa Szuperképlékeny áramlását. Azonban fontos jellemzője ezeknek az anyagoknak a jelenléte Szemcsehatár porozitása és állaga szinten az alakváltozás.
Példák epitaksialyshh ami Planchet rétegekben különböző szubsztrátok. ke tisztaságú szilíciumot letétbe. Egy epitaxiális szilícium egykristály a kicsapódott-stallichen és ugyanazok a kristálytani orientációban, mint a szubsztrát.
Ez az elektrolit kiderült, hogy az optimális kimutatási mikroelektrohimicheskoy heterogenitás miatt kristálytani orientációjától: mért közötti potenciálkülönbség az egyes szemcsék megközelítik a maximumot a kezdeti potenciál különbség. Bizonyíték nincs függését a mért potenciális különbség közötti távolság a vizsgált szemcsék felületén a szakasz (amely azt jelzi, vagy ezek hiányában, elektrolit makropar) és jelenlétében csak attól függően, hogy az intenzitás a felbomlása szemcsék, határozza meg a megjelenését a mikroszkóp területen.
Potenciális ugrásokat az átmenetet a gabona gabona miatt a különböző kristálytani orientációja a felület szemcsék.
Az egyensúlyi alakja egy krisztallit határozza meg változás felületi energia függvényében kristálytani orientációjától.
Az első öt (miután Fo) tagjai nem függ a kristálytani orientációja a vektorok N és L; Ezek a tagok a csere eredetű. A következő két összefüggő kifejezések relativisztikus kölcsönhatások; z tengely választjuk, a szokásos módon, valamint a fő szimmetriatengelye a kristály.
Az első öt (miután * 0) tagjai nem függ a kristálytani orientációja a vektorok N és L; Ezek a tagok a csere eredetű. A következő két összefüggő kifejezések relativisztikus kölcsönhatások; z-tengely van kiválasztva a szokásos módon végig a fő szimmetriatengelye a kristály.