Eljárás növekvő epitaxiális rétegek
A találmány tárgya félvezető anyagok és fel lehet használni a növekvő epitaxiális rétegek folyékony fázisú epitaxia. A cél a találmány szerinti - a csökkentése a termesztés időt, és növeli a hatékonyságot a lerakódás. Az eljárás abból áll, hogy egy telített oldat olvad, annak felosztását részletekben, hipotermia olvadt oldatot 1-15 ° C-on, és egymás után hozza a szubsztrátumot érintkezésbe minden egyes részét a megolvasztott oldat. Javasolt eljárás összehasonlítva a prototípus lehetővé teszi nem kevesebb, mint 4-szer lerövidül a termesztési rétegek, és több mint 2-szeres növekedést lerakódási hatékonyság. 2. táblázat.
09) (És) ut) 5 D 30 19/04, 29/40 ..
A tanúsítványt BT0PCHOMV
IN IZO6RETENIYAM És OTNRYTIYAM
AT GKNT USSR (21) 4443902 / 31-26 (22) 20.06..88 (46) 15.10.90. Bull. „38 (71) Moszkva Institute of Fine Chemical .tehnologii (72) AD Akchurin, VA és VB Zhegalin Ufimcev (53) 621 ;. 315,592 (088,8) (56) Hsieh I..I. 7hickness és sur
arc morfológiai az. GaAs T.PF. rétegek grovn által túlhűtés, lépésről-hűtés, egyensúlyi hűtés és tvophase
megoldási technikák. â € „I.Cryst.Ggotty 1974 ch 27 -. 1, p. 49-61. (54) művelésmód EPITAKGIALNYH réteg (57) A találmány tárgya tehnoloIzobretenie tárgya félvezető technológia és anyagokat lehet használni verni növekvő epitaxiális rétegek által zhidkoAaznoy epitaksni.
A cél a találmány szerinti â € „csökkentését a termesztés időt és javítja edZhektivnosti lerakódást.
Példa. A kezdeti töltési „tömeg '12 tartalmazó 98,5 mol.E
A 1,5 mol.7. InAs, elhelyezhetjük egy grafit tartályban penisz sejttípus. A tartálynak van egy sor csúszkák, hogy az oldatot külön olvadékot egyenlő részre, két szubsztrát InAs, orientált / III /, egy grafit csúszka, a csúszka beillesztését a tartályba, amely helyezünk. vízszintes kvarc reaktorban. ology félvezető anyagok és fel lehet használni a növekvő epitaxiális rétegek által epitaxiával zhidkoAaznoy. A cél a találmány szerinti â € „csökkentését a termesztés időt és javítja eAAektivnosti lerakódást. Nia. Az eljárás abból áll, hogy egy telített oldat olvad, annak felosztását részletekben, hipotermia olvadt oldatot 1-15 ° C, és egymás után hozza a szubsztrátumot érintkezésbe minden egyes részét a megolvasztott oldat. Javasolt eljárás összehasonlítva a prototípus lehetővé teszi nem kevesebb, mint 4-szer lerövidül a termesztési rétegek, és több mint 2-szeres növekedést eAAektivnost lerakódás 2. táblázat.
A reaktort lezárjuk, átöblítjük tisztított hidrogént és melegítjük a hőmérséklet a 823 K. Ezen a hőmérsékleten, az olvadék-homogenizálás végezzük az oldatból után 2 órán belül
Ezután csökkentette a hőmérséklet a 773 K (hot melt telítési hőmérséklete az oldat), és érintkezik az olvadék megoldást egy olyan első hordozót
InAs. Miután a takarmányozási rast-. Tolvaj-olvadék érintkezik az első hordozó és a reakciót leállítottuk speciális csúszkák rastvorrasplav szét öt egyenlő részletben, minden egyes részének a magassága a megolvasztott oldat
0,2 cm. Továbbá, a hőmérséklet csökkentésével a 10 K és egymás után a kapcsolatot a második InAs alaprétegrész c minden egyes olvadt oldatot.
Az érintkezési idő minden egyes részének 3 perc, 3 1.599.448 4
1. táblázat Sorszám Vastagság e ereoh- részletekben azhdeniya olvad rastvoraastvora-, réteg aspla- darab mikron és a K
Példa Összetétel forráspontú
A teljes idő a szubsztrátum érintkezik az olvadék-oldattal, min era.navyraschennogo maszk eniya tvorapl Av, K
Majd csökkentse a hőmérsékletet szobahőmérsékletre, a reaktort terheletlen és meghatározzuk a vastagsága InAs termesztett réteg, amely 9 m.
Zffektivnost vastagsága és lerakódás rétegeket kapott, eltérő körülmények között .vyraschivaniya táblázatban mutatjuk be. Az 1. és 2., ill.
10, a lerakódási hatékonyság határozza meg aránya 1s / rdaks 1 '00, ahol d”- a vastagsága a termesztett réteg, mikron;
d „”, - a lehető legnagyobb vastagsága 15 számított teljes eltávolítása túltelítettség mikron Amint látható 1. és 2. táblázat, a javasolt eljárás, mint a prototípus 20 lehetővé teszi, hogy nem kevesebb, mint 4-szer az idő tit sokraJ növekvő rétegek és több mint 2-szeres növekedést a lerakódási hatékonyság.
Zpitaksialnyh eljárás növekvő réteg félvezető anyagok, azzal jellemezve, amely egy olvadék telített oldat túlhűtés viszonylag egyensúlyi kristályosodási hőmérséklet 1-15 ° C, és az azt követő érintkezésbe hozás a szubsztrát, azzal jellemezve, hogy, hogy csökkentsék a növekvő időt és javítja a lerakódási hatékonyság, poszt- Élelmiszer olvadt oldatot az szétválik részek, és az érintkező szakaszosan végezzük. minden egyes részének a megolvadt oldatot.
Összeállította A. Likholetov
Korrektor N. király
Order 3123 Circulation 345 előfizetés
VNIIPO Állami Bizottság találmányok és felfedezések a SCS & T C Sze
113035, Moszkva, M-35, Raushskaya NAB. d. H / 5
Termelés és kiadás "Patent", Ungvár, st. Gagarin, 1O1