Science hálózati sáv szerkezetét az elektron energia spektruma szilárd

- függvénye csomagolási sűrűsége az energia szinten energiát E hőmérsékleten T. ábrán 7c ábrázoltuk az beültetési sűrűség T = 0 (pontozott vonal), és amikor (a folyamatos vonal). A nagysága elmosódás tiszta (T = 0) határok töltőképessége szintek alacsony hőmérsékleten (valamint a F (E)) van a \ sim 2kT (1,17).

Amikor az elektron koncentráció megegyezik az árnyékolt terület ábrán 7c, amely képlettel számítottuk ki:

Megjegyzés. A funkció az úgynevezett elektron eloszlásfüggvénye energiaszintet.

Ismerete funkciójuk, hogy feltöltik az energia szintet (vagy energia eloszlásfüggvény fL (E)) lehetővé teszi, hogy a számítás a átlagértékek összes funkciójának az energiát.

Tegyük fel, hogy akarjuk számítani az átlagos érték függvényében az energia elegendően alacsony hőmérsékleteken, azaz a degenerált elektron gáz

A meghatározás szerint az átlagos értéke a függvény egyenlő

ami által (2.4).

Fermi-Dirac eloszlásfüggvény f (E) T = 0 van beállítva, hogy 0 vagy 1 mindenütt, kivéve a lépés területen.

Alacsony hőmérsékleteken, azaz egy degenerált elektron gáz, „lépés” eloszlása ​​kissé homályos körül. Ezt fel lehet használni, hogy egyszerűsítse a számításokat.

Bemutatjuk az új funkció a következő egyenlet

Kiválasztása az energia eredetét úgy, hogy azt a kifejezést: