A ROM flash
A ROM a Flash
Flash memória történelmileg történt egy félvezető ROM meghajtó, de a memória-ROM meghajtó nem, hanem csak egy hasonló szervezet a ROM-ot. A több forrásból (hazai és külföldi) gyakran hibásan tulajdonítják a flash memória ROM. Vaku nem ROM legalább azért, mert ROM (Read Only Memory) fordítva „csak olvasható memória”. Körülbelül minden lehetőségét felülírva a ROM nem lehet kérdés!
Kis először, a pontatlanság nem felhívják magukra a figyelmet, de a technika fejlődésével, ha a flash memória vált ellenáll akár 1 millió írási ciklust, és kezdték használni, mint egy általános célú hajtás, hogy ezt a hiányosságot a besorolási kezdett nyilvánvalóvá.
A félvezetős memóriát, csak két típus a „tiszta” ROM - ez Maszk-ROM és PROM. Ezzel szemben, EPROM, EEPROM és a Flash egy osztály nem felejtő memória újraírható (angol megfelelője - nem illó írható-olvasható memória vagy NVRWM).
Megjegyzés: minden, azonban a helyére kerül, ha mint most, egyes szakértők nem tartják mozaikszavak RAM és ROM. Akkor RAM egyenértékű a „felejtő memória” és ROM - „felejtő memória”.
előnyei:
1. Olcsó kész programozott chip (a nagy mennyiségű termelés).
2. Nagy sebességű hozzáférést biztosít a memória cella.
3. Nagy megbízhatóság a kész chip és az ellenállás az elektromágneses mezők.
1. képtelenség felvenni, és az adatok módosítását követően a gyártás.
2. Az összetett termelési ciklust.
előnyei:
1. Nagy megbízhatóság a kész chip és az ellenállás az elektromágneses mezők.
2. A program képes a kész chip, ami kényelmes egy-és kis gyártási tétel.
3. Nagy sebességű hozzáférést biztosít a memória cella.
hátrányai:
1. képtelenség átírni
2. A nagy százaléka házasság
3. szükség speciális képzés hosszantartó magas, ami nélkül tároló megbízhatósága alacsony volt
- EPROM
Különböző források különböző dekódolási betűszó EPROM - mint törölhető programozható ROM-vagy elektromosan programozható ROM-(törölhető programozható ROM-, vagy egy elektromosan programozható ROM). Az EPROM égetés előtt szükséges ahhoz, hogy a törlés (most már lehetséges, hogy felülírja a tartalmát a memória). Törlése EPROM sejtek végezzük egyszer a teljes chip által chip ultraibolya sugárzás vagy röntgensugárzás néhány percig. Chip, törlés amely által termelt fúj ki ultraibolya fény, fejlesztette ki az Intel 1971-ben, és az úgynevezett UV-EPROM (előtag UV (ultraibolya) - UV). Ezek tartalmazzák ablakok kvarcüveg, ami a végén a törlés eljárás ragasztott.
Intel EPROM már alapuló MOS tranzisztorok Avalanche Charge Injection (FAMOS - Úszó kapu Avalanche injekció fémoxid félvezető, egy orosz egyenértékű - LIZMOP). Az első közelítésben az ilyen tranzisztor kondenzátor nagyon alacsony töltés szivárgási. Később, 1973-ban, a Toshiba kifejlesztett egy sejt-alapú SAMOS (Halmozott kapu Avalanche injekció MOS szerint egy másik változata - szilícium és az alumínium MOS) a EPROM memóriában, és 1977-ben, az Intel kifejlesztette saját verzióját SAMOS.
Az EPROM törli az összes bit okozza a törölt terület egy államban (általában minden egység, legalábbis - minden nullák). Vedd fel az EPROM, mint egy PROM, szintén végzett egy programozó (de más, a programozók számára PROM). Jelenleg EPROM szinte teljesen helyettesíteni EEPROM és Flash-piacon.
Előny: Az a képesség, hogy felülírja a tartalmát a chiphátrányai:
1. Egy kis számú átírási ciklusban.
2. módosításának lehetetlensége része a tárolt adatok.
3. Nagy a valószínűsége „nedoteret” (ami végül a szívelégtelenség) vagy túlexponált chip UV fényben (ún overerase - hatása eltávolítja a felesleges, „kiégés”), ami csökkenti az élettartamot a chip, és még vezetni a teljes elhanyagoltság.
A fő jellemzője a EEPROM (beleértve a Flash) a korábban tárgyalt érintkező típusú nem felejtő memória az a képesség, hogy újra programozzuk, ha a rendszerhez csatlakoztatott busz szabvány mikroprocesszort. Az EEPROM lehetőséget, hogy egy sejt törlés révén elektromos áram. Az EEPROM törlés minden cella automatikusan megy végbe, amikor a felvétel az új információt, azaz Meg lehet változtatni anélkül, hogy a többi adat egy cellában. törlés eljárás általában lényegesen hosszabb felvételi eljárást.
Előnyök képest EEPROM EPROM:
1. Hosszabb élettartam.
2. Könnyebb kezelni.
A találmány a flash memória gyakran tévesen tulajdonítják Intel, amelyben egyidejűleg 1988-ban. Tény, hogy a memória először a Toshiba által kifejlesztett 1984-ben, és a következő évben megkezdte a termelést a 256 kB-os flash memória chipek ipari méretekben. 1988-ban, az Intel saját fejlesztésű változata a flash memória.
Flash memória használják némileg eltér a típusú EEPROM tranzisztor sejtek. Technológiailag a flash memória kapcsolódik, mint az EPROM, EEPROM. A fő különbség a flash memóriát a EEPROM, hogy tartalmának törlése a sejtek vagy úgy hajtjuk végre, hogy a teljes chip, vagy egy adott blokk (klaszter blokk vagy oldal). A tipikus mérete egy ilyen blokk 256 vagy 512 bájt, de néhány típusú flash memória egység térfogata elérheti 256K. Meg kell jegyezni, hogy vannak olyan chip, amely képes kezelni a blokkok különböző méretű (a teljesítmény optimalizálása). Mosás lehet, mint egy egység, és a tartalmát az egész chip egyszerre. Így általánosságban, annak érdekében, hogy változtatni egy bájt első olvassa be a puffer az egész egységet, amely tartalmazza a bájt módosítani kell, a tartalmát a törölt blokk, az érték változik bájt a pufferben, amely után készül felvétel a módosított blokk pufferben. Ez a rendszer jelentősen csökkenti a sebességét belépését kis mennyiségű adat tetszőleges memória helyet, de nagymértékben növeli a teljesítményt, ha szekvenciális adatok rögzítését a nagy darabokban.
Az előnyök a flash memória képest EEPROM:
1. A nagy sebességű soros elérésű rögzítésekor annak a ténynek köszönhető, hogy a flash törlés információt készül blokkokban.
2. A termelési költségek flash memória alsó miatt egyszerűbb szervezet.
Hátrány: Lassú belépés tetszőleges memória helyeket.
„Mi a neved?”
Ha megnézzük a angol-orosz szótár, többek között, lásd az alábbi fordítást Szó vaku: rövid keret (film), flash, lő, pislogás, villogás, hőkezelés (üveg).
Flash memória kapta a nevét, mert az út történik írása és törlése Ez a fajta memória.
- A nevét kapta a Toshiba a fejlesztés során az első flash memória chip (az 1980), ami jellemző flash memória chip törlés sebessége „egy pillanat” - a egy szempillantás alatt.
A másik kettő (legalábbis valószínű) magyarázat:
- Az írás folyamata a flash memória angol neve villog (fúj ki, beégés) - a neve örökölt a flash memória elődei.
- Ellentétben EEPROM írás / adatok törlése a flash memória végezzük, a keret egység (flash - rövid lövés [film])
Talált orosz irodalomban megpróbálja elmagyarázni a név eredete a flash memória, mint egy nagy sebességű jellemző az ilyen típusú memória (flash fordítására a szót, mint egy kis szünetet, lő, rövid időn) kell elszámolni fizetésképtelen, bár nem mentes a józan ész. Sőt, a használata blokk törlés áramkörök a legtöbb esetben, hogy elérjék növekedése felvételi sebességet.
Az anya az összes eszköz-készítés volt specialitások osztály „finommechanikai eszközök”, amely megnyitotta a 1961-ben a Gépészmérnöki Kar.
1976-ban a opto-mechanikai tanszék szervezte.