Növekvő szilícium egykristályok a Czochralski
Mintegy 75% a teljes termelés monokristályos Si Xia a Czochralski módszerrel, amely biztosítja a megfelelő minőségi szintet gyártásához szükséges a LSI (integrált mikro-áramkörök egy nagyszabású integrációs).
Czochralski módszer alapja irányított kristályosodás egy magot egy nagy térfogatú olvadék.
Modern berendezés növekszik a Czochralski (3.1 ábra) nagy aggregált több, mint 5 méter, beleértve a munkakamra, fűtés, precíz kinematikus rendszer, vákuumos rendszer és időzítését, ellenőrzés és felügyelő eszköz a számítógépen keresztül.
A műveletek sorozata a növekvő egykristályok következő.
3.5.1.1 készítése és terhelése a nyersanyagok. A tégelyt helyeztük polikristályos Si, a kapott klorid módszerrel dópoló egykristály hulladék, evakuált munkakamra, olvasztott anyagot a tégelybe, és tartjuk T> Tplavl
párologni illékony szennyező.
3.5.1.2 Áztatás vetőmag. Primer - monokristályos
Si rúd kis átmérőjű szolgáló központjában kristályosodás.
A keresztmetszet a mag határozza meg a orientációját egykristály: # 916; - (III), # 9633; - (100) # 9644; - (110).
3.10 ábra - Készülék növekvő Si bugák a Czochralski módszerrel.
A leoltott melegítjük magas hőmérsékleten, hogy megakadályozza a termikus sokk, a megjelenése strukturális tökéletlensége miatt, amikor csökkenti azt olvadni.
3.5.1.3 növekvő nyakát. Seed merítjük olvadék és sokoy sebességű lift, az olvadék „húzott”
vékony kristály kis átmérőjű - a méhnyak.
3.5.1.4 Razraschivanie és a „Kilépés átmérő”. csökkentésével
sebesség „emeljük fel (1,5-3) mm / min hajtjuk növekedése
egy előre meghatározott névleges átmérője.
3.5.1.5 termesztése a hengeres rész egy automatikus újra-pad. Számítógépes biztosít ellenőrzési rendszerek fenntartása a hőmérséklet, húzza sebesség, felemelve és rúd a mag,
A forgatás a tégelybe.
3.5.1.6 backstag kúpos, és leválása a kristály az olvadékból maradékok.
3.5.1.7 A lassú hűtés a kristály, hogy minimalizálja a hibák a szerkezetet. Átmérő egykristály tömbök
(75-100) mm, hossza 1,5 m. A tenyésztést tuskók átmérője 150 mm vagy több is lehetséges. Az előre meghatározott jel ellenállása ass-hozamok általában nem több, mint 50% -át a hossza a rúd, míg a többi szétoszlik más márka vagy ismételten megküldjük a tégelyben olvadás.
Hátrányok Czochralski:
- egyenetlen eloszlása szennyeződések, hibák hosszúságú kondenzált egységes és chip területen.
Növekvő nagy tisztaságú egykristály Si használnak NE r-Todd lebegő zónát olvadáspontú.