Spray - alumínium - műszaki szótár, amit én
porlasztás alumínium üveglemezekre vákuumban kinyerését teszi lehetővé a tükrök nagy fényvisszaverő.
A permetezés alumínium és arany sikeresen alkalmazták volfrám. Mivel a volfrám, enyhén ötvözött alumínium törékennyé válik magas hőmérsékleten, minden esetben permetezés szükséges alkalmazni egy új fűtőelem. Abban az esetben, arany, ez a jelenség nem rendelkezik, és egy melegítő lehet használni többször.
alumínium porlasztás elhelyezési módszer valamivel bonyolultabb technológia egyéb vezető anyagok annak a ténynek köszönhető, hogy az alumínium feloldódik a legtöbb anyag, amelyek alkotják a párologtatók, beleértve a volfrám.
A leválasztási sebesség alumínium körülbelül 10-5 g / cm2 sec.
Ha alumíniumot használnak vákuumpárologtatásos Ti vagy V alréteg vastagsága 500 - 1000 A. A vékony film alsó réteg film A1 biztosítja a jó tapadást, és megakadályozza kialakulását Au intermetallikus vegyület A1 helyeken transitions BGIS működés közben magasabb hőmérsékleten.
Abban az esetben, az alumínium lecsapódását a acél lehet néhány diffúziója intermetallikus vegyület által az intézkedés a következő hibridizációs. Mivel a megnövekedett ötvözés és inert alumíniumoxid során a lágyítási ér el igen magas fokú korrózióállóság fellépés a hőmérséklet növekedésével.
Együtt egy alumínium lerakódás hajókon és egyéb elemek azt is alkalmazzák a mozdony, csőszerű kazánok, szárak rácsos rostély és a bélés kemencék.
A termikus minőség-ellenőrzés. | Eredmények impulzus TC minőségű diffúziós hegesztés a munkadarabok külső erő VE fémezésen. Miután fémezés szilícium (alumínium párolgás) hibája is kimutatható használatával pulzáló kétoldalú TC.
Gutin alkalmazását javasolták, alumínium lerakódás felületén az alumínium fólia. Ez a módszer arra irányult, hogy egy stabilabb növekedési üteme az aktív felület a anódok, mint a kémiai vagy elektrokémiai kezelés, ha a feldolgozási mód egy előre meghatározott maratási sebesség elég alumínium változik egyik tekercs másik, és néha hossza mentén a tekercs. Ezek a rezgések, ami magyarázható nehéz vizsgálni a változás állapotában az alumínium felülete, attól függően, hogy a fólia hengerlési feltételeknek, módjától lágyítás, és esetleg még a kis oszcillációk tartalmát szennyeződések az anód alumínium vagy annak elosztása a különböző szakaszok a fólia rendkívül kényelmetlen termelés kénytelen használni egy speciális műveletet jegyrendszer fólia maratás után.
A szerkezet a diffúziós ellenállást, és a plenáris a tranzisztor a félvezető IC. Csatlakozások közötti IC elemek felhasználásával előállított alumínium-lerakódást a réteg szilícium-dioxid maratott abban, hogy létrehozzák a kapcsolatot a Windows.
Kapcsolat Si Schottky - A1 |. A áram-feszültség karakterisztika egy Schottky érintkező Si - A1. Tekintsünk egy Schottky érintkező típusú Si - A1 kapott alumínium lerakódásból szilícium n - típusú.
Eljárás előállítására csontváz nikkel katalizátorok AJ folyamatos használata alumínium rápermetezésével nikkel GCI-Steen későbbi szinterezés és kimosódás alumínium ötvözetből kialakult a felületen.
A párna által termelt maratás ablakok a szilícium-oxid és alumínium lerakódás. Kész félvezető integrált áramköri elemek vannak csatlakoztatva, mint jönnek-tokoprovo vezetékek alumínium.
Mnogoemitternogo szerkezete tranzisztor sejt. Maratás után érintkezési ablakok az oxid számára az egész lemezt alumínium lerakódás végezzük. Miután az alumínium lerakódás végezzük utolsó, és az ötödik fotolitográfiás feldolgozó, amellyel az aluminid-bevonat eltávolítjuk ábrán látható módon. 7 - 6D Így látható, hogy az egyes fogak Emit Terni galvanizáló áramot a két sor kibocsátók.
Fő tetőgerenda bázis BEA és workshop a londoni Heathrow repülőtéren is védett alumínium bevonat.
A szekvenciát az alapvető technológiai gyártási műveletek CVR-IC. Különösen fontos a gyártási folyamatban a kapu fölött oxidtartományán tisztasága feldolgozó alumínium felületi permetezés előtt. Jellemzően több felületi kezelések-oxid, beleértve a savas és a peroxid-mosó ammiach-Ing. A legjobb eredményeket akkor kapjuk, peroxid-ammónia mosó végzett 7 - 10 perc 70 ° C hőmérsékleten Ez elegendő felületi simaságát, a stabilitást a dielektrikum nem csökken a hőkezelés után.
Tervezés fotodióda. és - a PD-2, b - PD-3. Amikor egy nagy terület átmeneti kapcsolat a diffúziós réteg - Ting működnek, mint a gyűrű, vagy mesh alumínium porlasztással. Az elektróda van csatlakoztatva az érintkezők által termokompressziós. Ha az átmeneti terület kicsi, az érintkező kötéssel eljárást úgy hajtjuk végre vékony arany elektródát közvetlenül a réteg p-típusú.
Az integrált áramkört. és - szerkezet. b - ekvivalens kapcsolási rajz. A belső kapcsoló egyetlen integrált áramkör végzi összekötő MOS tranzisztorok, és a MOS ellenállások összekapcsolt kívánt sorrendben alumínium lerakódás.
A bevonat a szilícium-karbid, hogy bór-rostok (mint erősítőanyagot elemzi borsik) némi védelmet nyújt, hogy a szálakat, és a plazma-ív permetezés alumínium nem fordul elő hatása alatt a lágyulási cseppecske jet. A bevonat vastagsága általában 10 mikron. A [3] azt mutatta, hogy a bevonat ennek vastagsága megakadályozza a lágyító a szálak hőkezelés során a levegő és alumínium por vagy titán. Lágyítás a szálak egy kissé tömörített por nem tekinthető olyan megbízható módszer a tanulmány, mint a jelenlétében oxid filmek hosszú ideig, mint a feltételeit, hogy létezik egy első osztályú anyagok, mivel valójában utal, hogy a kompozit látszólagos osztály. Mindazonáltal a későbbi vizsgálatok erőteljesebb körülmények között, az eredmény megerősítette az alapvető ön - bevonat szilícium-karbid, bór-lassítja reagál az alumínium mátrix.
A szerkezet a bipoláris n - p - n tranzisztor az IC méretarányos. Minden méret mikron. A folyamat a termikus alakítás és stabilizálása a kapu-oxid meglehetősen kritikus, és az oxid - érzékeny a szennyeződésekre, hogy lehet minden szakaszában között kialakulását oxid és alumínium borítás.
Amikor az üveg szubsztrátok előtt célszerű szilárd alumínium leválasztással, amely ugyanazt a feladatot látja, mint a fém szubsztrátum a mágneses mátrix. alumínium porlasztás végezzük elektronsugár elpárolgás a szubsztrátum hőmérséklete a 170-220 ° C
Fent a lefolyó és a forrás régiók a jövő p-csatornás eszközök oxid réteget visznek, adalékolt bór, és több mint a lefolyó és a forrás régiók - csatorna oxidréteg, foszforral dúsított. Ezt követően, a lemezt kemencébe helyeztük, amelyben 1100 ° C egyidejűleg végezzük mindkét típusú diffúziós szennyeződések egész mélysége a szilíciumréteg és a növekvő védő-oxid. Feldolgozás ezután egyidejűleg az ablakok nyitásával alatti kapu dielektrikum, termikus oxidáció a kapu régió, és az alumínium porlasztás fotolitográfiai létrehozni az elektródák és az összekötő vezetékek.
Az ereje kapott bevonatok mindkét módszerrel, körülbelül azonos. Abból a szempontból a korrózióállóság és bevonatok mindkét módszer egyenértékűek. Ez a különbség kifejezettebb az alumínium lerakódás.
. Dependence VT (a és m / z / r (b yulschiny film d 31. (/ és után (2 hidrogénezés Vékonyréteg térvezérlésű tranzisztorok MOS szerkezeteket koholt segítségével a polikristályos szilícium rétegvastagság - 0, 3 - 0 1 mikron kaput. 4800 a dielektromos vastag volt letétbe helyezett kémiai gőzfázisú 400 C. területek lefolyó és forrás készültek történő implantációs és az azt követő hőkezelés. a kapu elektróda és a kapcsolatok létre alumínium porlasztás.
. Dependence VT (A és m / g / g (b yulschiny film 31. A fel (/ és után (2 hidrogénezés Vékonyréteg térvezérlésű tranzisztorok MOS szerkezeteket koholt segítségével a polikristályos szilícium rétegvastagság - 0, 3 - 0 1 mikron kaput. 4800 a dielektromos vastag volt letétbe helyezett kémiai gőzfázisú 400 C. területek lefolyó és forrás készültek történő implantációs és az azt követő hőkezelés. a kapu elektróda és a kapcsolatok létre alumínium porlasztás.
Az a kérdés, folyamat keramopodobnyh vegyületek beadása a bevonatok érjük minden esetben külön. Például, SiC, B4C és A14S3 kialakítva közvetlenül a szén-dioxid-felületet sziiikonozással, boriding és alumínium-oxid-CIÓ. Közvetlen reakcióval szén-tartalmú gáznemű fázis képződik B4C keményedő bevonatot bór-szálak. Si3N4 film képződik a különböző felületeken a pirolitikus lerakódás és a reaktív porlasztással. A bevonat az alumínium-nitrid (specifikusan, a grafit) előállított alumínium-bevonatú majd nitridáló fémes réteg.
Ábra. 5.57 egymást követő lépéseit mutatják gyártási félvezető integrált áramköri tranzisztor meg plenaraoy technológia. . A szilícium ostya egy termesztett epitaxiális filmet n - Tyapa bevont szilícium-dioxid (köpenyt az ilyen izolált szigetek kialakított elemek félvezető integralvoy áramkörök: tranzisztorok, diódák és ellenállások képező tranzisztor NZ ezen a szigeten, amely a tranzisztor kollektora a régió (ábra 5,57, b .. ) diffúzióval p-típusú bázis területet hoz létre a következő szakaszba diffúzió útján n -. típusú emitter és kollektor érintkező (ábra 5,57 g), majd bevont alumínium bázis érintkezők, EMIT. tera, kollektor és a szubsztrát.
Bár rafting tranzisztor technológia lehetővé teszi, hogy a tranzisztor miatt egy kis műveletek száma, nem kapta meg a kérelem a gyártás teljesítmény tranzisztorok elsősorban annak a ténynek köszönhető, hogy a nagy területen nagyon nehéz, hogy egy lapos első fixáló. Technology diffúziós ötvözött változott, ami lehetővé tette több, finoman szabályozzák a vastagsága az adalékolt rétegek. Szerkezet szilícium tranzisztor koholt diffúziós módszerrel ábrán látható. 6.3. Gyűjtő csomópont / p-réteg és elő diffúziója alumínium be a kezdeti szilícium N - típusú. Emitter csomópontjának 2, és az n - réteg van kialakítva diffúzió útján foszfor a p-diffúziós réteg. Annak biztosítása érdekében, az alacsony érintkezési ellenállás fém - félvezető diffúziós bór és foszfor jönnek létre p - és n - réteg a katód oldalon. Fémezése félvezető felület végezzük permetezéssel alumínium. Az eloszlási görbét a különbség a Nd koncentrációja - Na ábrán látható. 6.4. A jellemző egy tranzisztor koholt diffúzióval a különbség eloszlási profilja a szennyező koncentrációját a bázis, amelynek a maximuma a. Ahhoz, hogy a megfelelő pontot, és a szennyezés-koncentrációja csökken a kollektor felé elágazásnál, amely a bázis jelenlétében ebben a beépített elektromos mező, amely felgyorsítja az elektronok.