Hibrid integrált áramkörök
Home | Rólunk | visszacsatolás
Hibrid integrált áramkörök (GIFT) nevű chipek, amelyre a passzív elemeket (ellenállásokat, kondenzátorokat) vannak kialakítva, mint filmek egy dielektromos hordozót, és a félvezető elektronikus eszközök (diódák, tranzisztorok, dióda és tranzisztor mátrix PPIMS) - berendezés.
Gims fragmenst ábra mutatja az 5.1.
Chips a fóliák vastagsága kisebb, mint 1 mikron nevezett vékony film, és amelynek vastagsága nagyobb, mint 1 mikron - vastag-GIFT. Deposition vékony filmek végzi a részben ismertetett eljárásokkal 3.6, és a készítmény a vastag filmek [5].
Konfigurációk és hígítók vastagréteg-elem, a rendőrök azonosak, de sajátos geometriai méreteket (adott villamos paraméterek) jelentősen változhat miatt a használata teljesen más anyagok. Film elem nem szükséges elkülöníteni egymástól, hiszen minden fut a dielektromos Planchet-kyo. Mivel az elemei közötti távolság, ha viszonylag nagy parazita kapacitások gyakorlatilag nincs, és bevonják őket a helyettesítő kapcsolás általában nincs értelme.
Alapfelület Gims játszanak nagyon fontos szerepet. Először is, a szubsztrátum egy szerkezeti alapját chip: ez vonatkozik film passzív áramköri elemek és kapcsolatok elrendezve, hogy csatlakoztassa a chip a hardver. Másodszor, a hordozóanyag és a feldolgozási paraméterek lényeges mértékben függ a felvitt film rétegek és a megbízhatóság a teljes lapkát.
A hordozó anyag kell rendelkezniük:
- nagy az elektromos ellenállása,
- mechanikailag szilárdnak kis- vastagságban,
- kémiailag inert a leválasztandó anyagtól,
- nagy fizikai és kémiai stabilitással hevítve több száz fok,
- nem mentesíti gázokat vákuumban
- Van egy jó felület csiszolt,
- jó tapadás (mechanikai adhézió, ragadósságot), hogy a letétbe helyezett film,
- jó hővezető,
- van egy hőmérsékletre lineáris hőtágulási együttható (MCL) a lehető legközelebb a TKL letétbe rétegek,
- egy könnyen hozzáférhető és alacsony költségek mellett.
A legtöbb ezek a követelmények teljesülnek az üveg és kerámia. A hátrányok üveg szubsztrátok kell tartalmaznia alacsony hővezető, és szubsztrátok kerámiából - felületi érdesség.
Jelenleg, Gims szubsztrátok elsősorban üvegkerámia és fotositall. Ők képviselik a üvegkerámia végzett hőkezeléssel előállított (kristályosító) üveg. Az ő tulajdonságaik jobbak a tulajdonságai az eredeti üveg és minden igényt kielégítő a fent említett.
Szubsztrátok használt GIFT általában négyzet vagy téglalap alakú (5.1 táblázat).
Megjegyzés: A pasztát használjuk a vastag ajándék.
A elterjedése ellenállás értékek: szerelés nélkül ± 5%, és a beállítás - ± 0,05% TCR - 0,25 × 10 -4 / ° C-on
A fentiekből levonhatjuk az alábbi következtetéseket:
- ellenállások tartomány sokkal szélesebb, mint a félvezető (diffúzió és ion-adalékolt);
- vékonyréteg technológia nagyobb pontosságot és ellenállások stabilitását;
- szerelés biztosít jelentős csökkenését variáció (tűrések) ellenállások; Következésképpen, a lehetőség egy ilyen alfaj egy fontos előnye a film ellenállás;
ellenállások kiigazítás végezhető különböző módokon. A legegyszerűbb módja az, történelmileg az első részleges kaparás fur-nikai ellenállás réteget mielőtt a felület védi az IP vagy más bevonattal. Kifinomultabb módszereket NE-lyayutsya részleges eltávolításával a réteg segítségével elektromos szikra, elektron vagy lézersugaras. Természetesen az összes ilyen nyílt forráskódú szoftverek Søby hogy csak növeli az ellenállást rezis tórusz. A legfejlettebb és rugalmas módszer, hogy áthaladjon az ellenállás-SRI elegendően nagy áram. Amikor az aktuális egyidejűleg bepattintással-ke két folyamatok: oxidáció rezis-tive felületi réteg és elrendelő szemcseszerkezete. Az első eljárás növeli, és a második - csökkentési Accom-ellenállása. Kiválasztásával az aktuális és a légteret, amelyben alatt végezzük verseny lehet elérni, és az ellenállás változását az egyik, és a Dru-Guyu oldalán, ± 30% hiba (tekintetében a kívánatos-Term par) egy százalék.
A szerkezet és a konfiguráció egy tipikus film kondenzátor ábrán látható 5.3. kondenzátor kapacitása határozza meg az általános képletű
C0 = C × S, ahol C0 - fajlagos kapacitás függ a dielektromos anyag, és a rétegvastagság, S- kondenzátor területen. A vastagsága a dielektromos-film-paraméter d függ lényegében a technológia: a tárcsahang-vékonyrétegek d = 0.1 - 0.2 mikron vastag d = 10-20 mikrométer. Ebben, azonos körülmények között, a fajlagos kapacitás vastagréteg kondenzátor C0 kisebb, mint a vékony film. Azonban, a különbség a dielektromos vastagsága lehet kompenzálni az időben-Licia permittivities anyagok.
5.3 táblázat felsorolja jellemző paraméterekkel con-fólia kondenzátorok. A táblázat alapján lehet sdelatsleduyuschie általános következtetéseket:
Megjegyzés: A pasztát használjuk a vastag ajándék.
- Speciális kapacitancia fólia kondenzátorok (ha jelen van Required-kiválasztási dielektromos) többszöröse a pre-Witzlaus fajlagos kapacitás a MOS kondenzátor és a több DIF-fúziós kondenzátorok;
- maximális kapacitás fólia kondenzátorok lehet több nagyságrenddel nagyobb, mint a kapacitás félvezető kondenzátorok, főként a nagyobb terület (a szögletes Mivel GIFT szubsztrátok lényegesen nagyobb, mint a területen a félvezető IC chip).
Nagyfrekvenciás vékony fólia kondenzátorok opti-formális dielektromos szilícium-monoxid és a germánium-monoxid.
Meg kell jegyezni, hogy az elmúlt években, jelenléte miatt a kis diszkrét kondenzátorok (beleértve a rendkívüli fájdalmat Scheu-kapacitás - akár több mikrofaradosokat), van egy olyan tendencia-CIÓ a feladását film kondenzátorok, és helyettük szerelt kondenzátor-tori.
Mint már említettük, a lehetőséget osuschest vlyat-tekercs induktivitása mikroelektronika technikák egyik előnye a film technológia. Az ilyen tekercsek sík tekercsek, általában téglalap konfi-guration (5.4 ábra). Hogy csökkentsék az ellenállás, amíg az anyag-használ arany. A szélessége a fémbuga XYZ csík 30-50 mikron, közötti rés tekercsek 50-100 mikron. Ilyen.
A jósági tényezője induktorok, például, egy óra vagy Tote 100 MHz lehet egy Q értéke ³ 50. Ellentétben on-a kondenzátor Q faktor Q Ka-hasított frekvenciával nő. Ezért plenoch nye tekercs működhet sikeresen egy sor
5.4 ábra ultramagas frekvenciájú
(UHF) frekvencia alatt 5.3 GHz. Ugyanakkor száma smink fordul meg kíván összeállítani 3-5.
A kapcsolat a fejlődését microminiature tekercseket tárcsa film használata, különösen a frekvencián kisebb, mint 50-100 MHz korlátozott, és a preferencia a con-kondenzátorok, mivel a fele komponenseket.